Принцип действия
n-p-n транзистора.
Расположение трёх выводов биполярного
n-p-n транзистора в пластиковом (слева) и металлическом (справа) корпусе.
Биполярный транзистор.
Он существует в двух вариантах:
n-p-n и
р-n-р. Транзистор
n-p-n - структуры образован тремя слоями кремния, из которых два n слоя имеют избыток носителей отрицательного заряда.
Третий слой, расположенный между первыми двумя, является р - слоем с избытком носителей положительного заряда. Три вывода биполярного
n-p-n - транзистора называются «коллектором», «базой» и «эмиттером» (рис. 2.93).
Когда база
n-p-n - транзистора оказывается немного более положительной, чем эмиттер, ток от положительного полюса источника питания поступает через коллектор и выходит через эмиттер. В этом случае очень слабый ток, поступающий в базу транзистора, может управлять более сильным током, проходящим через коллектор.
Транзистор
р-n-р - типа работает противоположным способом. Ток поступает через эмиттер и выходит через коллектор к отрицательному полюсу источника, когда база немного отрицательнее, чем эмиттер. Транзисторы
р-n-р - типа иногда оказываются более удобными.
Подробнее...